基本原理 CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列，在P型或N型硅衬底上生长一层很薄（约120nm）的二氧化硅，再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极），形成规则的MOS电容器阵列就构成了CCD芯片。

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